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HGTG10N120BND

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Grande immagine :  HGTG10N120BND

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: Fogli di dati HGTG10N120BND pdf e Transistor - IGBT - Dettagli unici del prodotto di Sanyo Semicondu

HGTG10N120BND

descrizione
Numero della parte: HGTG10N120BND Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione: In magazzino, modelli alternativi disponibili. Ciclo di vita: Nuovo da questo produttore
foglio dati: HGTG10N120BND scheda dati PDF Consegna: DHL, UPS, FedEx, Posta raccomandata
Pagamento: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union Ulteriori informazioni: HGTG10N120BND Ulteriori informazioni
ECAD: Richiedere modelli CAD gratuiti Prezzi ((USD): Tre dollari.08
Commento: Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tanssion e' uno dei distributori. Ampia gamma di a Montagna: Attraverso il buco
Altezza: 20.82 mm peso: 6,39 g
Caso/pacchetto: TO-247 Numero di perni: 3
Tempo di ritardo d'apertura: 23 NS tensione nominale (DC): 1,2 chilovolt
Max Collector Current: 35 A Tempo di recupero inverso: 70 ns
Min Operating Temperature: -55 °C Max Junction Temperature (Tj): 150 °C
Tensione di ripartizione dell'emettitore del collettore: 1,2 chilovolt Categoria dei prodotti: Semiconduttore discreto - Transistor - IGBT - Singolo
foglio dati: HGTG10N120BND.pdf Quota: 5171 In magazzino
Applicazioni: Punto di vendita elettronico (EPOS) Larghezza: 4.82 mm
Lunghezza: 15,87 millimetri Tempo di aumento: 165 ns
Classificazione attuale: 35 A Dissipazione del potere: 298 W
Tempo di ritardo di giro-fuori: 165 ns Configurazione dell'elemento: Non sposato
Massima dissipazione di potenza: 298 W Temperatura massima di funzionamento: 150 °C
Corrente di collettore continua: 35 A Tensione dell'emettitore del collettore (VCEO): 1,2 chilovolt
Tensione di saturazione dell'emettitore del collettore: 2,45 V

HGTG10N120BND Overview\\nHGTG10N120BND è un modello appartenente alla sottocategoria dei transistor - IGBT - Single sotto semiconduttore discreto.Si prega di consultare la scheda, come file PDF Docx documenti, ecc. Abbiamo immagini ad alta definizione HGTG10N120BND e schede di dati per riferimento.Continueremo a produrre vari file video e modelli 3D per consentire agli utenti di comprendere il nostro prodotto in modo più intuitivo e completoL'HGTG10N120BND è ampiamente utilizzato nei punti vendita elettronici (EPOS).HGTG10N120BND può essere acquistato in molti modiPotete effettuare un ordine direttamente su questo sito, oppure potete chiamarci o inviarci un'email.Possiamo anche adattare l'inventario ai distributori per soddisfare le vostre esigenzeSe l'approvvigionamento di HGTG10N120BND è insufficiente, abbiamo anche altri modelli sotto la categoria dei transistor a semiconduttore discreto - IGBT - singolo per sostituirlo. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. In modo da poter ordinare HGTG10N120BND da Fans con fiducia.TNT e EMS o qualsiasi altro agente di spedizioneSe volete saperne di più sul trasporto, non esitate a contattarci per ulteriori dettagli.

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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