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Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET | Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 32 nC @ 4,5 V |
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Status del prodotto: | Non utilizzato | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale |
Pacco: | Nastro e bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2920 pF @ 15 V |
Serie: | HEXFET® | Vgs (Max): | ± 20V |
Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA | Confezione del dispositivo del fornitore: | D-PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6mOhm @ 15A, 10V | Mfr: | Tecnologie Infineon |
Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo di FET: | Canale N |
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): | 4.5V, 10V | Dissipazione di potere (massima): | 89W (Tc) |
Confezione / Cassa: | TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 | Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 30 V |
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 94A (TC) | tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) |
Caratteristica del FET: | - |
N-Canale 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Superficie montata D-Pak
Persona di contatto: Liu Guo Xiong
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