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FQD4P25TF

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FQD4P25TF

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Grande immagine :  FQD4P25TF

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Contatto

FQD4P25TF

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Caratteristica del FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa: TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V Tipo di FET: P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 10V Pacco: Nastro e bobina (TR)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V
Status del prodotto: Non utilizzato Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale Serie: QFET®
Confezione del dispositivo del fornitore: TO-252AA Mfr: ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 3.1A (TC) Dissipazione di potere (massima): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Numero del prodotto di base: FQD4

P-Canale 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Montatura di superficie TO-252AA

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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