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SPU09P06PL

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SPU09P06PL

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Grande immagine :  SPU09P06PL

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3
Contatto

SPU09P06PL

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Caratteristica del FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250μA Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa: TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 6,8A, 10V Tipo di FET: P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacco: Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 60 V Vgs (Max): ± 20V
Status del prodotto: Non utilizzato Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Tipo di montaggio: Attraverso il buco Serie: SIPMOS®
Confezione del dispositivo del fornitore: P-TO251-3-1 Mfr: Tecnologie Infineon
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Dissipazione di potere (massima): 42W (TC)
tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Numero del prodotto di base: SPU09P

P-canale 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) attraverso il foro P-TO251-3-1

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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