IPP09N03LA

Name: IPP09N03LA
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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Grande immagine : IPP09N03LA

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:

Descrizione:	MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3

Contatto

descrizione

Categoria:	Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET	Caratteristica del FET:	-
Vgs(th) (Max) @ Id:	2V @ 20µA	Temperatura di funzionamento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:	TO-220-3	Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:	13 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	9.2mOhm @ 30A, 10V	Tipo di FET:	Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):	4.5V, 10V	Pacco:	Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):	25 V	Vgs (Max):	± 20V
Status del prodotto:	Non utilizzato	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	1642 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:	Attraverso il buco	Serie:	OptiMOS™
Confezione del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-3	Mfr:	Tecnologie Infineon
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:	50A (TC)	Dissipazione di potere (massima):	63W (TC)
tecnologia:	MOSFET (ossido di metallo)	Numero del prodotto di base:	IPP09N