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SPP04N60C3HKSA1

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SPP04N60C3HKSA1

SPP04N60C3HKSA1
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Grande immagine :  SPP04N60C3HKSA1

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3
Contatto

SPP04N60C3HKSA1

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Caratteristica del FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200μA Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa: TO-220-3 Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V Tipo di FET: Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 10V Pacco: Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 650 V Vgs (Max): ± 20V
Status del prodotto: Non utilizzato Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Tipo di montaggio: Attraverso il buco Serie: CoolMOS™
Confezione del dispositivo del fornitore: PG-TO220-3-1 Mfr: Tecnologie Infineon
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Dissipazione di potere (massima): 50W (TC)
tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Numero del prodotto di base: SPP04N

N-canale 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) attraverso il foro PG-TO220-3-1

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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