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Grande immagine :  BSP317PE6327

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Contatto

BSP317PE6327

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Caratteristica del FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370μA Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa: TO-261-4, TO-261AA Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V Tipo di FET: P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacco: Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 250 V Vgs (Max): ± 20V
Status del prodotto: Non utilizzato Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale Serie: SIPMOS®
Confezione del dispositivo del fornitore: PG-SOT223-4 Mfr: Tecnologie Infineon
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 430 mA (Ta) Dissipazione di potere (massima): 1.8W (tum)
tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Numero del prodotto di base: BSP317

P-Canale 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Montatura di superficie PG-SOT223-4

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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