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BSS670S2L

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BSS670S2L

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Grande immagine :  BSS670S2L

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Contatto

BSS670S2L

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Status del prodotto: Non utilizzato Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
Pacco: Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Serie: OptiMOS™ Vgs (Max): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2,7μA Confezione del dispositivo del fornitore: PG-SOT23
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270 mA, 10V Mfr: Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di FET: Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Dissipazione di potere (massima): 360mW (tum)
Confezione / Cassa: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 55 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 540 mA (Ta) tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Caratteristica del FET: -

N-Canale 55 V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Monte di superficie PG-SOT23

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Persona di contatto: Miss. Coral

Telefono: +86 15211040646

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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