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BSO203SPNTMA1

BSO203SPNTMA1
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Grande immagine :  BSO203SPNTMA1

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO
Contatto

BSO203SPNTMA1

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4,5 V
Status del prodotto: Non utilizzato Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
Pacco: Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
Serie: OptiMOS™ Vgs (Max): ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100μA Confezione del dispositivo del fornitore: PG-DSO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 4,5 V Mfr: Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di FET: P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 2.5V, 4.5V Dissipazione di potere (massima): 2.35W (Ta)
Confezione / Cassa: 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 20 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 9A (Ta) tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Caratteristica del FET: -

P-Canale 20 V 9A (Ta) 2.35W (Ta) Monte di superficie PG-DSO-8

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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