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Grande immagine :  BSP316PE6327

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Contatto

BSP316PE6327

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Status del prodotto: Non utilizzato Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
Pacco: Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Serie: SIPMOS® Vgs (Max): ± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170μA Confezione del dispositivo del fornitore: PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V Mfr: Tecnologie Infineon
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di FET: P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Dissipazione di potere (massima): 1.8W (tum)
Confezione / Cassa: TO-261-4, TO-261AA Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 100 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 680 mA (Ta) tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Caratteristica del FET: -

P-Canale 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Montatura superficiale PG-SOT223-4

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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