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SPB80N03S2L-05

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SPB80N03S2L-05

SPB80N03S2L-05
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Grande immagine :  SPB80N03S2L-05

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Contatto

SPB80N03S2L-05

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Caratteristica del FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110μA Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa: TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Tipo di FET: Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Pacco: Nastro e bobina (TR)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 30 V Vgs (Max): ± 20V
Status del prodotto: Non utilizzato Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale Serie: OptiMOS™
Confezione del dispositivo del fornitore: PG-TO263-3-2 Mfr: Tecnologie Infineon
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 80A (TC) Dissipazione di potere (massima): 167W (TC)
tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Numero del prodotto di base: SPB80N

N-Canale 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) Montatura di superficie PG-TO263-3-2

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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