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SPD02N60C3BTMA1

SPD02N60C3BTMA1
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Grande immagine :  SPD02N60C3BTMA1

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3
Contatto

SPD02N60C3BTMA1

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET Caratteristica del FET: -
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80μA Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa: TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63 Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V Tipo di FET: Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 10V Pacco: Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 650 V Vgs (Max): ± 20V
Status del prodotto: Non utilizzato Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale Serie: CoolMOS™
Confezione del dispositivo del fornitore: PG-TO252-3-11 Mfr: Tecnologie Infineon
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 1.8A (TC) Dissipazione di potere (massima): 25W (TC)
tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Numero del prodotto di base: SPD02N

N-Canale 650 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Montatura di superficie PG-TO252-3-11

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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