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GPI6TIC15DFV

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Grande immagine :  GPI6TIC15DFV

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: IC di potenza basato su Power GaN HEMT

GPI6TIC15DFV

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET RF, MOSFET Status del prodotto: Attivo
Configurazione: Canale N Voltaggio nominale: 900 V
Pacco: Tubo Serie: -
Figura del rumore: - Confezione del dispositivo del fornitore: 8-DFN (8x8)
Tensione - prova: 6,5 V Mfr: GaNPower
Frequenza: - Guadagno: -
Confezione / Cassa: 8-WDFN Pad esposto Corrente - prova: 2,5 A
Potenza - Output: - tecnologia: MOSFET
Corrente nominale (ampere): -

Mosfet RF 6,5 V 2,5 A 8-DFN (8x8)

Dettagli di contatto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Persona di contatto: Miss. Coral

Telefono: +86 15211040646

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