BCR135E6433

Name: BCR135E6433
Brand: SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD
Availability: InStock

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(1050)

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CI inclusi
(1000)

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(1000)

IC lineare
(950)

Logica IC
(894)

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(984)

GESTIONE DI POTERE
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(995)

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(1000)

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(934)

Protezione di circuito IC
(992)

Semiconduttore discreto
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(1000)

Circuiti integrati IC
(1000)

Protezione dei circuiti
(692)

Optoelettronica
(1000)

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(400)

Prodotti a semiconduttori discreti
(853)

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(890)

Circuiti integrati ics
(27)

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Grande immagine : BCR135E6433

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:

Descrizione:	Transistor digitale bipolare

Contatto

descrizione

Categoria:	Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia	Corrente - Collettore (Ic) (Max):	100 MA
Status del prodotto:	Attivo	Tipo di transistor:	NPN - Pre-polarizzato
Frequenza - Transizione:	150 megahertz	Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale
Pacco:	Altri prodotti	Serie:	-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA	Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):	50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:	PG-SOT23-3-11	Resistenza - Base (R1):	10 kOhms
Mfr:	Tecnologie Infineon	Resistenza - Base dell'emittente (R2):	47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):	100nA (ICBO)	Potenza - Max:	200 mW
Confezione / Cassa:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:	70 @ 5mA, 5V
Numero del prodotto di base:	BCR135