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BCR158E6327

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BCR158E6327

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Grande immagine :  BCR158E6327

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: Transistor digitale bipolare
Contatto

BCR158E6327

descrizione
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-bia Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100 MA
Status del prodotto: Attivo Tipo di transistor: PNP - Pregiudicato
Frequenza - Transizione: 200 MHz Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
Pacco: Altri prodotti Serie: Automotive, AEC-Q101
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 50 V
Confezione del dispositivo del fornitore: PG-SOT23-3-1 Resistenza - Base (R1): 2,2 kOhms
Mfr: Tecnologie Infineon Resistenza - Base dell'emittente (R2): 47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo): 100nA (ICBO) Potenza - Max: 200 mW
Confezione / Cassa: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: 70 @ 5mA, 5V
Numero del prodotto di base: BCR158

Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23-3-1

Prodotto Tag:

IC a transistor,

Transistor Circuiti integrati,

ICS a transistor

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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