PBSS5130PAP,115

Name: PBSS5130PAP,115
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

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Descrizione:	Ora NEXPERIA PBSS5130PAP - Piccolo

Contatto

descrizione

Categoria:	Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Corrente - Collettore (Ic) (Max):	1A
Status del prodotto:	Attivo	Tipo di transistor:	2 PNP (due)
Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale	Frequenza - Transizione:	125MHz
Pacco:	Altri prodotti	Serie:	-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:	280 mV @ 50mA, 1A	Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):	30 V
Confezione del dispositivo del fornitore:	6-HUSON (2x2)	Mfr:	NXP USA Inc.
Corrente - limite del collettore (massimo):	100nA (ICBO)	Potenza - Max:	510 mW
Confezione / Cassa:	6-UFDFN Pad esposto	Temperatura di funzionamento:	150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:	170 @ 500mA, 2V	Numero del prodotto di base:	PBSS5130