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| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti Transistori Bipolare (BJT) Transistori RF bipolari | Corrente - Collettore (Ic) (Max): | 50 mA |
|---|---|---|---|
| Status del prodotto: | Non utilizzato | Tipo di transistor: | PNP |
| Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Frequenza - Transizione: | 8,5 GHz |
| Pacco: | Altri prodotti | Serie: | - |
| Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): | 12V | Confezione del dispositivo del fornitore: | SOT23-3 (TO-236) |
| Mfr: | Renesas Electronics America Inc. | Figura del rumore (dB Typ @ f): | 1.5 dB @ 1 GHz |
| Potenza - Max: | 200mw | Guadagno: | 12 dB |
| Confezione / Cassa: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Temperatura di funzionamento: | 150°C (TJ) |
| Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.: | 20 @ 20mA, 8V |
Transistor RF PNP 12V 50mA 8,5GHz 200mW Montaggio di superficie SOT23-3 (TO-236)
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