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IGP03N120H2

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Grande immagine :  IGP03N120H2

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: Transistor IGBT ad alta velocità 2 TECH 1200V 3A

IGP03N120H2

descrizione
Categoria di prodotto:: Transistor IGBT Stile di montaggio:: SMD/SMT
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max:: 1200 V Confezione / Valigia:: TO-263-3
Temperatura massima di funzionamento:: + 150 C Voltaggio massimo dell' emittente di porta:: +/- 20 V
Imballaggio:: Tubo Configurazione:: Non sposato
Produttore:: Tecnologie Infineon

L'IGP03N120H2, di Infineon Technologies, sono i transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!

Dettagli di contatto
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

Persona di contatto: Miss. Coral

Telefono: +86 15211040646

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