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| Corrente di perdita dell' emittente della porta:: | Na 400 | Categoria di prodotto:: | Moduli di IGBT |
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| Corrente continua del collettore a 25 ° C:: | 370 A | Palladio - dissipazione di potere:: | 1450 W |
| Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max:: | 1200 V | Confezione / Valigia:: | 62 millimetri |
| Temperatura massima di funzionamento:: | + 125 C | Configurazione:: | Emettitore singolo doppio |
| Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore:: | 2,1 V | Prodotto:: | Moduli del silicio di IGBT |
| Produttore:: | Tecnologie Infineon |
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