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71V35761S200BQ

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Grande immagine :  71V35761S200BQ

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA

71V35761S200BQ

descrizione
Categoria: Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria Dimensione della memoria: 4.5Mbit
Status del prodotto: Attivo Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
Pacco: Altri prodotti Serie: -
DigiKey programmabile: Non verificato Interfaccia della memoria: Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: - Confezione del dispositivo del fornitore: 165-CABGA (13x15)
Tipo di memoria: Volatile Mfr: IDT, Integrated Device Technology Inc.
Frequenza dell'orologio: 200 MHz Voltaggio - Fornitura: 3.135V ~ 3.465V
Tempo di accesso: 3.1 ns Confezione / Cassa: 165-TBGA
Organizzazione della memoria: 128K x 36 Temperatura di funzionamento: 0°C ~ 70°C (TA)
tecnologia: SRAM - Sincrono, DSR Numero del prodotto di base: 71V35761S
Formato di memoria: SRAM

SRAM - Memoria sincrona IC SDR 4.5Mbit parallela 200 MHz 3.1 ns 165-CABGA (13x15)

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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