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R1RW0416DSB-2PI#D1

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Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Descrizione: R1RW0416D-I - Ampia temperatura R
Contatto

R1RW0416DSB-2PI#D1

descrizione
Categoria: Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria Status del prodotto: Attivo
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale Pacco: Altri prodotti
Serie: R1RW0416DI Interfaccia della memoria: Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: 12ns Confezione del dispositivo del fornitore: 44-TSOP II
Tipo di memoria: Volatile Mfr: RENESAS
Dimensione della memoria: 4Mbit Voltaggio - Fornitura: 3V ~ 3,6V
Confezione / Cassa: 44-TSOP (0,400", larghezza di 10.16mm) Organizzazione della memoria: 256K x 16
Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TA) tecnologia: SRAM - Asincrono
Tempo di accesso: 12 n Formato di memoria: SRAM

SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II

Prodotto Tag:

Chip di memoria di IC,

Chip IC di memoria,

regolatore CI di memoria

Dettagli di contatto
Sensor (HK) Limited

Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

Fax: 86-755-8255222

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