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MT41K256M16TW-107:P Memoria di accesso casuale dinamica 4Gbit Scalabilità

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MT41K256M16TW-107:P Memoria di accesso casuale dinamica 4Gbit Scalabilità

MT41K256M16TW-107:P Memoria di accesso casuale dinamica 4Gbit Scalabilità
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Grande immagine :  MT41K256M16TW-107:P Memoria di accesso casuale dinamica 4Gbit Scalabilità

Dettagli: Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1000 PCS
Prezzo: Negotiated
Stoccaggio: 10000-500000 pezzi
Metodo di spedizione: LCL, AIR, FCL, Express
Descrizione: "MT41K256M16TW-107:P" è un numero di modello per un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), specif
Termini di pagamento: T/T

MT41K256M16TW-107:P Memoria di accesso casuale dinamica 4Gbit Scalabilità

descrizione
Capacità di stoccaggio: 4Gbit Larghezza di dati: 16 bit
Tipo di pacchetto: FBGA-96
Evidenziare:

MT41K256M16TW-107:P Memoria dinamica a accesso casuale

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Scalabilità Memoria di accesso casuale dinamica

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Circuiti integrati elettronici a 4 Gb

Il MT41K256M16TW-107:P è un chip DRAM (Dynamic Random Access Memory) prodotto da Micron, appartenente alla famiglia DDR3L (Low Voltage DDR3).

Parametri di base

  • Capacità di stoccaggio: 4Gbit (vale a dire 256M x 16bit)
  • Larghezza dei dati: 16-bit
  • Tipo di pacchetto: FBGA-96 (Fine-pitch Ball Grid Array con 96 pin)
  • Intervallo di tensione: da 1,283V a 1,45V (conforme alla gamma di bassa tensione della norma DDR3L)

Parametri delle prestazioni

  • Frequenza dell'orologio: fino a 933 MHz (anche se la frequenza di funzionamento effettiva può variare a seconda della progettazione del sistema e dei requisiti applicativi)
  • Tempo di accesso: in genere in relazione alla frequenza di funzionamento, ma alcuni riferimenti menzionano un tempo di accesso di 20 ns (eventualmente un valore di prova in condizioni specifiche)
  • Intervallo di temperatura di funzionamento: generalmente da 0°C a 95°C, ma le temperature di funzionamento minime possono essere anche inferiori a -40°C secondo le diverse fonti

Funzioni funzionali

  • Compatibilità con il passato: supporta il funzionamento a 1,5 V per la compatibilità con dispositivi DDR3
  • Strobo di dati bidirezionale differenziale: Consente la segnalazione differenziale per una migliore stabilità del segnale e immunità al rumore
  • Architettura 8n-Prefetch: Migliora l'efficienza del trasferimento dei dati
  • Input di orologio differenziale (CK, CK#): Utilizza segnali di orologio differenziale per ridurre lo scorrimento dell'orologio e il rumore
  • La latenza CAS programmabile (CL), la latenza additiva (AL) e la latenza di scrittura CAS (CWL): Fornisce impostazioni di latenza flessibili per soddisfare le diverse esigenze di prestazione
  • Modalità di auto-aggiornamento: Consente l' aggiornamento automatico dei dati di memoria durante i periodi di inattività per evitare la perdita di dati

Informazioni supplementari

  • Compatibilità RoHS: Risponde alla norma RoHS (Restriction of Hazardous Substances), che lo rende un prodotto rispettoso dell'ambiente
  • Stile di montaggio: Dispositivo di montaggio superficiale (SMD/SMT), adatto alle esigenze di miniaturizzazione e integrazione dei moderni dispositivi elettroniciMT41K256M16TW-107:P Memoria di accesso casuale dinamica 4Gbit Scalabilità 0

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Liu Guo Xiong

Telefono: +8618200982122

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