NJVMJD350T4G

Il NJVMJD350T4G appartiene a un chip Bipolar Junction Transistor (BJT), in particolare un Transistor Bipolar Junction di tipo PNP, prodotto da ON Semiconductor,Questo chip ha una serie di specifiche specifiche e caratteristiche di prestazione.

Ecco le specifiche chiave del chip NJVMJD350T4G tradotto in inglese:

• Tensione massima tra collettore ed emittente (VCEO)300 V
• Tensione massima di base del collettore (VCBO)300 V
• Tensione massima di base dell'emittente (VEBO): 3V
• Corrente massima del collettore CC (Ic): 500mA (ossia 0,5A)
• Voltaggio di saturazione collettore-emettitore: può essere inferiore a 1V in condizioni specifiche
• Dissipazione di potenza (Pd): massimo 15W
• Prodotto di banda larga (fT): 10MHz
• Temperatura minima di funzionamento: -65°C
• Temperatura massima di funzionamento: + 150°C

Inoltre, il chip NJVMJD350T4G ha le seguenti caratteristiche:

• Tipo di pacchetto: in genere viene fornito in un pacchetto DPAK-3 (TO-252-3), adatto per applicazioni di dispositivi di montaggio superficiale (SMD/SMT).
• Conformità RoHS: è conforme ai requisiti RoHS, non contiene piombo o altre sostanze pericolose.
• Applicazioni: progettato per l'uso in amplificatori di uscita audio a linea, modalità di commutazione e altre applicazioni che richiedono funzioni di amplificazione e di commutazione dei transistor.

In sintesi,il NJVMJD350T4G è un chip transistor a giunzione bipolare di tipo PNP stabile e versatile, ampiamente utilizzato in vari dispositivi elettronici che richiedono capacità di amplificazione e commutazione dei transistor.