MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 è un transistor di potenza RF prodotto da NXP, specificamente progettato per applicazioni RF ad alta potenza.

Parametri di base

• Tipo di prodotto: Transistori MOSFET RF (Transistori a effetto di campo a radiofrequenza metallo-ossido-semiconduttore)
• Produttore: NXP
• Polarità: canale N
• Pacco: SOT1787
• Tecnologia: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

Parametri elettrici

• Frequenza di funzionamento: da 1200 a 1400 MHz
• Potenza di uscita: 1000 W (picco)
• Guadagno tipico (dB): 15,5 dB @ 1200 MHz (il guadagno specifico può variare a seconda della frequenza)
• Voltaggio di rottura della fonte di scarico (Vds): non specificato direttamente, ma i transistor LDMOS hanno generalmente elevate tensioni di rottura
• Corrente di scarico continua (Id): non specificato direttamente, ma determinato dai requisiti di applicazione e progettazione
• tensione della sorgente di porta (Vgs): da -6 V a +10 V (intervallo per il controllo della tensione del cancello)
• Dissipazione di potenza (Pd): non specificato direttamente, ma richiede una buona progettazione di dissipazione del calore per applicazioni ad alta potenza

Temperatura di funzionamento

• Temperatura massima di funzionamento: + 150°C
• Temperatura minima di funzionamento: -40°C

Caratteristiche di applicazione

• Operazione a banda larga: Abbinamento interno di ingressi e uscite per un comodo funzionamento e utilizzo della banda larga
• Flessibilità di configurazione: Può essere utilizzato in configurazioni a singolo termine, push-pull o quadratura
• Alta robustezza: adatto alle applicazioni a impulsi, particolarmente eccellente nelle applicazioni radar a banda L militari e commerciali ad alta potenza

Informazioni supplementari

• Pacchetto/caso: imballaggi SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology), adatti alla tecnologia di montaggio in superficie
• Imballaggio Quantità: generalmente confezionati in determinate quantità (ad esempio 50 pezzi) per unità